[发明专利]一种检测外延缺陷的方法有效
| 申请号： | 200910201353.7 | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101740433A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 傅文彪;赵宇航 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种检测外延缺陷的方法，包括以下步骤：在衬底上淀积氧化层；刻蚀部分所述氧化层，使得部分所述衬底暴露；生长第一外延层；刻蚀所述氧化层上的所述第一外延层以及所述氧化层；生长第二外延层，所述第二外延层的外延材料和所述衬底的材料相同；分别获得所述第一外延层和所述衬底上的所述第二外延层的缺陷数，并求得它们之间差的绝对值，作为所述第一外延层在所述衬底表面生长的缺陷数。本发明提供的方法能够定性的检测出多种半导体材料的外延缺陷，不但检测准确，而且方便使用，可操作性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 外延 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种检测外延缺陷的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：在衬底上淀积氧化层；刻蚀部分所述氧化层，使得部分所述衬底暴露；生长第一外延层；刻蚀所述氧化层上的所述第一外延层以及所述氧化层；生长第二外延层，所述第二外延层的外延材料和所述衬底的材料相同；分别获得所述第一外延层上的第二外延层部分和所述衬底上的第二外延层部分的单位体积内的缺陷数，并求得它们之间差的绝对值，作为所述第一外延层在所述衬底表面生长的单位体积内的缺陷数。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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