[发明专利]用作静电保护结构的MOS晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200910201758.0 | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102054865A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王邦麟;苏庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 陈履忠 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用作静电保护结构的MOS晶体管，在最靠近所述MOS晶体管的源极的隔离结构上方具有一个场板，所述场板为一层多晶硅或金属，所述场板的大小小于或等于所述隔离结构的大小；所述场板与栅极相连，并一起通过串联一电阻接地；或者所述场板通过串联一电阻接地，所述栅极通过串联另一电阻接地。本发明还公开了所述MOS晶体管的制造方法，所述场板与所述栅极是对同一层材料一起刻蚀形成的。本发明可以降低了用作静电保护结构的MOS晶体管的触发电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用作 静电 保护 结构 mos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用作静电保护结构的MOS晶体管，其特征是，在最靠近所述MOS晶体管的源极的隔离结构上方具有一个场板，所述场板为一层多晶硅或金属，所述场板的大小小于或等于所述隔离结构的大小；所述场板与栅极相连，并一起通过串联一电阻接地；或者所述场板通过串联一电阻接地，所述栅极通过串联另一电阻接地。
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