[发明专利]双极晶体管有效
| 申请号： | 200910202011.7 | 申请日： | 2009-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102104062A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 邱慈云;朱东园;钱文生;范永洁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双极晶体管，有源区由浅槽场氧隔离，包括：一集电区，由形成于有源区中的第一导电类型的杂质离子注入层构成，底部连接由两个第一导电类型的赝埋层连接而形成的埋层，所述赝埋层通过在有源区两侧的浅槽底部注入第一导电类型杂质离子形成；通过在所述赝埋层上场氧中制作深槽接触引出集电极；一基区，由形成于所述集电区上的第二导电类型的薄膜构成；一发射区，由形成于所述基区上的第一导电类型的多晶硅构成。本发明能缩小器件面积、降低寄生效应、减少光刻层数以及降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种双极晶体管，其特征在于，有源区由浅槽场氧隔离，包括：一集电区，由形成于有源区中的第一导电类型的杂质离子注入层构成，底部连接由两个第一导电类型的赝埋层连接而形成的埋层，所述赝埋层通过在有源区两侧的浅槽底部注入第一导电类型杂质离子形成；通过在所述赝埋层上场氧中制作深槽接触引出集电极；一基区，由形成于所述集电区上的第二导电类型的薄膜构成；一发射区，由形成于所述基区上的第一导电类型的多晶硅构成。
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