[发明专利]MTP器件单元结构及其操作方法有效
| 申请号： | 200910202022.5 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102110470A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 胡晓明;刘梅;黄景丰;蔡明祥 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MTP器件单元结构，编程端(WL)在选择晶体管(10)的一侧，漏端(BL)在编程晶体管(20)的一侧，编程端(WL)或漏端(BL)处具有一串联电阻。本发明还公开了所述MTP器件单元结构的操作方法。本发明可以适用于编程晶体管具有较厚的栅氧化层的情况，并能提高编程速度、加强编程效率。 | ||
| 搜索关键词： | mtp 器件 单元 结构 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种MTP器件单元结构，其特征是，包括选择晶体管(10)、编程晶体管(20)和擦除晶体管(30)；所述选择晶体管(10)的源极(11)与所述选择晶体管(10)所在n阱(14)、所述编程晶体管(20)所在n阱(24)三者相连接；所述选择晶体管(10)的栅极(12)作为选择端(SG)；所述选择晶体管(10)的漏极(13)与编程晶体管(20)的源极(21)相连接；所述编程晶体管(20)的栅极和擦除晶体管(30)的栅极为同一个浮栅(22)；所述选择晶体管(10)的源极(11)串联一电阻作为编程端(WL)，所述编程晶体管(20)的漏极(23)作为漏端(BL)；或者，所述选择晶体管(10)的源极(11)作为编程端(WL)，所述编程晶体管(20)的漏极(23)串联一电阻作为漏端(BL)；所述擦除晶体管(30)的源极(31)和漏极(33)相连接作为擦除端(EG)。
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