[发明专利]浅沟槽隔离工艺中的电极引出结构有效
| 申请号： | 200910202066.8 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102117794A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 邱慈云;朱东园;范永洁;钱文生;徐炯;陈帆;张海芳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/762;H01L21/331;H01L21/336;H01L29/732;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅沟槽隔离工艺中的电极引出结构，有源区由浅沟槽隔离，在浅沟槽的底部形成一赝埋层，所述赝埋层进入有源区并和所述有源区中需要引出电极的掺杂区域一相连接，通过在浅沟槽氧化层中制作深槽接触孔和赝埋层相接引出所述掺杂区域一。本发明能够减小器件的面积、降低引出电极的电阻和寄生电容、提高器件的特征频率。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离工艺 中的 电极 引出 结构 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离工艺中的电极引出结构，有源区由浅沟槽隔离，其特征在于：在所述浅沟槽氧化层底部形成一具有第一导电类型的赝埋层，所述赝埋层进入有源区并和所述有源区中需要引出电极的具有第一导电类型掺杂区域一相连接，通过在所述浅沟槽氧化层中制作深槽接触和所述赝埋层相接引出所述掺杂区域一的电极。
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