[发明专利]交直流转换整合元件与使用该元件的集成电路有效
申请号: | 200910202808.7 | 申请日: | 2009-05-26 |
公开(公告)号: | CN101901806A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
发明(设计)人: | 黄健腾;洪尚铭;蓝正丰 | 申请(专利权)人: | 奇高电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L29/861;H01L29/36;H01L29/78;H02M7/04 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 陈肖梅;谢丽娜 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提出一种交直流转换整合元件与使用该元件的集成电路。所述集成电路包含:一直流低压电路;以及与该直流低压电路耦接的交直流转换整合元件,该交直流转换整合元件包括四个二极管,其中第一二极管的阴极与第二二极管的阳极相接,此第一相接节点接收一交流电压的一输入,第三二极管的阴极与第四二极管的阳极相接,此第二相接节点接收该交流电压的另一输入,该第一二极管的阳极与第三二极管的阳极相接,此第三相接节点提供一直流电压的低准位,第二二极管的阴极与第四二极管的阴极相接,此第四相接节点提供一直流电压的高准位。 | ||
搜索关键词: | 直流 转换 整合 元件 使用 集成电路 | ||
【主权项】:
一种交直流转换整合元件,其特征在于,包含:第一传导型态的基板;以及位于基板内的第二传导型态的至少四个井区,每个第二传导型态的井区内包括:位于第二传导型态井区内的第一传导型态的高浓度掺杂区;及位于第二传导型态井区内的第二传导型态的高浓度掺杂区;其中,每个井区与其内的第一与第二传导型态的高浓度掺杂区构成二极管,四个井区构成四个二极管,其中第一二极管的阴极与第二二极管的阳极相接,此第一相接节点接收一交流电压的一输入,第三二极管的阴极与第四二极管的阳极相接,此第二相接节点接收该交流电压的另一输入,该第一二极管的阳极与第三二极管的阳极相接,此第三相接节点提供一直流电压的低准位,第二二极管的阴极与第四二极管的阴极相接,此第四相接节点提供一直流电压的高准位;且其中,此交直流转换整合元件与一直流低压电路制作于同一集成电路中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奇高电子股份有限公司,未经奇高电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910202808.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种铝合金传输带润滑油循环利用收集装置
- 下一篇:壁挂装置和显示组件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的