[发明专利]NAND闪速存储器器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910203082.9 | 申请日： | 2009-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101587747A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 吴东妍;李云京;李丞哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/10;G11C5/00;G06F1/00;G06F17/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆锦华 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NAND闪速存储器器件及其制造方法。一种集成电路包括NAND串，该NAND串包括位于串联连接的存储器贮存单元MC的任一末端的串选择晶体管SST和地选择晶体管GST。存储器贮存单元的每个是具有浮置栅的存储器晶体管，并且串选择晶体管SST和地选择晶体管GST中的至少一个是具有浮置栅的存储器晶体管。可编程的串选择晶体管SST和地选择晶体管GST的阈值电压Vth是可变的和用户可控的，并不需要在制造过程中通过注入来创建。存储块中的可编程的串选择晶体管SST和地选择晶体管GST中的每个可以用于存储随机数据，由此增大了闪速存储器器件的存储器贮存能力。 | ||
| 搜索关键词： | nand 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪速存储器器件，包括：多个存储块，所述每个存储块包括具有第一选择晶体管的NAND单元单位，所述第一选择晶体管串联连接到通过各自的字线而被控制的多个存储器单元，其中，所述第一选择晶体管是能用于存储数据的存储器晶体管。
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