[发明专利]制造半导体元件的方法

摘要

本发明是有关于一种制造半导体元件的方法。形成一闸介电质层于一基材上，然后形成一未掺杂的第一电极层于该闸介电质上。使用原子层掺杂技术以掺杂此未被掺杂的含硅层。形成一第二电极层于该第一电极层上。此工艺方法可扩展而包括在同一晶圆上形成PMOS以及NMOS元件。例如，在原子层掺杂之前，可以薄化PMOS区中的第一含硅层。在NMOS区中，移除第一含硅层的掺杂部分，而使得NMOS中第一含硅层的剩余部分未被掺杂。然后，使用另一原子层掺杂工艺而掺杂NMOS区中的第一含硅层，使其成为不同的导电型。可以形成第三含硅层并将其掺杂为各别的导电型。

主权项

1、一种制造一半导体元件的方法，其特征在于其包括以下步骤：形成一闸介电质层于一半导体基材上；形成一第一电极层于该闸介电质层上，该第一电极层是未掺杂的；掺杂该第一电极层，该掺杂是至少一部分以原子层掺杂进行；以及形成一第二电极层于该第一电极层上，该第二电极层是掺杂的。