[发明专利]光介质用溅射靶及其制造方法、和光介质及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910205799.7 申请日: 2009-09-22
公开(公告)号: CN101684544A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: 川口行雄;栗林勇 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: C23C14/14 分类号: C23C14/14;C23C14/34;C22C21/00;C22C1/04;G11B7/24;G11B7/26
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 代理人: 龙 淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供光介质用溅射靶及其制造方法、和光介质及其制造方法。光介质用溅射靶以Al为主成分,并含有1~10at%的选自Ta和Nb中的1种或2种元素、以及0.1~10at%的Ag。光介质(100)包括基板(10)和反射层(20A、20B),该反射层(20A、20B)设置在基板(10)上,并具有以Al为主成分、且含有1~10at%的选自Ta和Nb中的1种或2种元素、以及0.1~10at%的Ag的组成。
搜索关键词: 介质 溅射 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种光介质用溅射靶,其特征在于:以Al为主成分,并含有1~10at%的选自Ta和Nb中的1种或2种元素、以及0.1~10at%的Ag。
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