[发明专利]铜膜的成膜方法无效
| 申请号： | 200910205875.4 | 申请日： | 2005-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101684547A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 小岛康彦;吉井直树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/06 | 分类号： | C23C16/06;C23C16/18;C23C16/44;H01L21/285;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种成膜方法，利用反复进行下述工序的ALD(AtomicLayer Deposition)法，在基板上形成Cu膜：将蒸汽压高，对衬底湿润性好的Cu羧酸络合物或其衍生物气化，作为原料气体使用，且使用H2作为还原气体，使原料气体吸附在基板上的工序；和利用还原气体还原吸附的原料气体，形成Cu膜的工序。由此可形成保形(conformal)良好膜质的Cu薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 | ||
【主权项】：
1.一种成膜方法，交替进行向基板上供给含有Cu的原料物质的工序；和停止供给所述含有Cu的原料物质后，向所述基板供给还原性气体的工序，其中，具有：将成膜初期供给还原性气体的时间作为第一时间T1，交替进行所述两个工序的第一成膜期；和将所述还原性气体供给时间作为比所述T1短的第二时间T2，在所述第一成膜期之后、交替进行所述两个工序的第二成膜期。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
