[发明专利]交通工具、显示器和半导体器件的制造方法有效
申请号: | 200910207607.6 | 申请日: | 2002-11-29 |
公开(公告)号: | CN101685796A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 高山彻;丸山纯矢;后藤裕吾;桑原秀明;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/50;H01L21/78;H01L27/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 汤春龙;李家麟 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供了一种半导体器件和一种半导体器件的制造方法,其中将被剥离的层与具有一弯曲表面的基底相连接,特别提供一种具有一弯曲表面的显示器,更具体的说,提供一种与具有弯曲表面的基底相连接的包括一发光元件的发光器件。一个将被剥离的层转移到薄膜上,该将被剥离的层包含一发光元件,该发光元件通过使用为金属层或氮化物层的第一材料层和为一氧化层的第二材料层的叠层结构设置在衬底上,然后弯曲该薄膜和将被剥离的层,以此形成一种具有一弯曲表面的显示器。 | ||
搜索关键词: | 交通工具 显示器 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,包括:在第一衬底上形成金属层;在所述金属层上形成包括氧化硅的绝缘层;在所述绝缘层上形成包括硅的半导体层;用激光扫描所述半导体层,以便增加所述半导体层的结晶度;对所述半导体层进行构图,以便形成薄膜晶体管的岛状形半导体层,所述岛状形半导体层包括沟道;形成包括电路的层,所述电路包括所述薄膜晶体管;将第二衬底与所述包括电路的层粘接,其中所述包括电路的层介于所述第二衬底和所述第一衬底之间;以及将所述包括电路的层从所述第一衬底分离,使得所述包括电路的层保留在所述第二衬底上,其中所述薄膜晶体管的沟道长度方向与所述激光相对于所述沟道的扫描方向相对准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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