[发明专利]用于针对双图案化过程进行光刻验证的方法和系统有效

专利信息
申请号: 200910207632.4 申请日: 2009-10-28
公开(公告)号: CN101727520A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 宋华;王蓝天;G·T·卢克-帕特;J·P·希利 申请(专利权)人: 新思科技有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及用于针对双图案化过程进行光刻验证的方法和系统。本发明的一个实施例提供一种针对掩膜布局的双图案化过程进行光刻验证而不进行掩膜布局的全轮廓仿真的系统。在操作期间,该系统通过接收双图案化过程的第一光刻步骤中使用的第一掩膜和双图案化过程的第二光刻步骤中使用的第二掩膜来启动。注意,通过划分掩膜布局来获得第一掩膜和第二掩膜。接着,该系统接收掩膜布局上的评估点。该系统然后确定评估点是只位于第一掩膜的多边形上、只位于第二掩膜的多边形上还是位于别处。该系统接着基于评估点是只位于第一掩膜的多边形上还是只位于第二掩膜的多边形上,在用于掩膜布局的评估点计算印刷指示符。
搜索关键词: 用于 针对 图案 过程 进行 光刻 验证 方法 系统
【主权项】:
一种用于针对掩膜布局的双图案化过程进行光刻验证而不进行所述掩膜布局的全轮廓仿真的方法,所述方法包括:接收所述双图案化过程的第一光刻步骤中使用的第一掩膜和所述双图案化过程的第二光刻步骤中使用的第二掩膜,其中通过划分所述掩膜布局来获得所述第一掩膜和所述第二掩膜;接收所述掩膜布局上的评估点;确定所述评估点是只位于所述第一掩膜的多边形上、只位于所述第二掩膜的多边形上还是位于别处;以及基于所述评估点是只位于所述第一掩膜的多边形上、只位于所述第二掩膜的多边形上还是位于别处,在用于所述掩膜布局的所述评估点计算印刷指示符。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新思科技有限公司,未经新思科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910207632.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top