[发明专利]包括槽和槽内的导电结构的电子器件以及形成该电子器件的方法

摘要

本发明涉及包括槽和槽内的导电结构的电子器件以及形成该电子器件的方法。一种电子器件可以包括具有主表面的第一层、与主表面相邻的阱区以及与主表面和阱区都隔开的掩埋掺杂区。电子器件还可以包括朝掩埋掺杂区延伸的槽，其中，槽具有侧壁和沿着槽的侧壁的侧壁掺杂区，其中，侧壁掺杂区延伸的深度比阱区深。第一层和掩埋区具有第一导电类型，而阱区具有与第一导电类型相反的第二导电类型。电子器件可以包括槽内的导电结构，其中，导电结构电连接至掩埋掺杂区，并与侧壁掺杂区电绝缘。还描述了一种用于形成该电子器件的方法。

主权项

一种形成电子器件的方法，其包括以下步骤：提供包括第一层、阱区和掩埋掺杂区的工件，其中：所述第一层具有主表面；所述阱区与所述主表面相邻；且所述掩埋掺杂区与所述主表面和所述阱区隔开；形成朝所述掩埋掺杂区延伸的槽，其中，所述第一层的一部分位于沿着所述槽的侧壁的位置；沿着所述槽的所述侧壁来掺杂所述第一层的所述一部分，以形成侧壁掺杂区，其中，用于所述侧壁掺杂区的掺杂剂被沿着所述槽的所述侧壁引入到所述第一层中；以及在所述槽内形成导电结构，其中，所述导电结构电连接至所述掩埋掺杂区，并与所述侧壁掺杂区电绝缘。