[发明专利]具有穿导孔的半导体组件及其制造方法及具有穿导孔的半导体组件的封装结构

摘要

本发明关于一种具有穿导孔的半导体组件及其制造方法及具有穿导孔的半导体组件的封装结构。该具有穿导孔的半导体组件包括一硅芯片及至少一穿导孔。该硅芯片包括一硅基材及一主动线路层。该主动线路层位于该硅基材的一第二表面，且具有至少一金属层。该穿导孔贯穿该硅基材，且包括一导电金属。该导电金属电性连接至该主动线路层的金属层，该导电金属的一表面显露于该硅基材的一第一表面之外。藉此，该半导体组件得以直接堆栈一芯片于其上，且不需要形成一保护层及一重布层于该硅基材的第一表面，进而简化工艺并降低成本。

主权项

一种具有穿导孔的半导体组件，包括：一硅基材，具有一第一表面、一第二表面及至少一穿孔，该穿孔贯穿该硅基材；及至少一穿导孔，贯穿该硅基材，该穿导孔包括：一第一阻绝层，位于该穿孔的侧壁，且定义出一第一中心槽；一导电金属，位于该第一中心槽内，且具有一环状侧部及一底部，该环状侧部及该底部定义出一第二中心槽，且该底部的一底面显露于该硅基材的第二表面之外；及一第二阻绝层，位于该第二中心槽内。