[发明专利]半导体装置及该半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200910208120.X | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101740631A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 秋元健吾;津吹将志 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/34;H01L21/84;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明为包括设置在栅极绝缘层、源电极层及漏电极层上的氧化物半导体层的半导体装置，其中，位于源电极层和漏电极层之间的区域的栅极绝缘层的膜厚度薄于设置在栅电极层和源电极层之间的栅极绝缘层或者设置在栅电极层和漏电极层之间的栅极绝缘层的膜厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：衬底上的栅电极层；所述栅电极层上的栅极绝缘层；夹着所述栅极绝缘层而重叠于所述栅电极层的一部分的源电极层及漏电极层；以及在所述栅电极层上并与位于所述源电极层和所述漏电极层之间的区域的所述栅极绝缘层接触的氧化物半导体层，其中所述氧化物半导体层设置在所述源电极层及所述漏电极层上，其中，在所述栅电极层上并位于所述源电极层和所述漏电极层之间的区域的所述栅极绝缘层的厚度薄于设置在所述栅电极层与所述源电极层和所述漏电极层中的至少一方之间的所述栅极绝缘层的厚度。
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