[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200910208198.1 | 申请日： | 2009-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101740426A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 须藤和之;富田弘明 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社;三洋半导体制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，当在形成于半导体基板的开口部上形成凸起电极时，防止形成由密闭在开口部内的气体造成的气孔。本半导体装置的制造方法具有如下工序：在半导体基板的主面侧形成第一配线(3)的工序；为了将第一配线(3)的背面露出，在半导体基板(1)自其背面侧朝向主面侧形成开口部(5)的工序；形成与第一配线(3)的背面连接且自开口部(5)内延伸至半导体基板(1)背面的第二配线(7)的工序；形成焊料层(8)的工序，该焊料层(8)与开口部(5)底部的第二配线(7)的一部分连接，并自开口部(5)内延伸至半导体基板(1)的背面；使焊料层(8)回流而在开口部(5)上形成凸起电极(9)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：在半导体基板的主面隔着第一绝缘膜形成第一配线的工序；为了将所述第一配线露出，自所述半导体基板的背面，在该半导体基板形成开口部的工序；在所述开口部及所述背面上形成第二绝缘膜的工序；在所述第二绝缘膜上，形成与所述第一配线连接且自所述开口部内延伸至所述背面上的第二配线的工序；形成焊料层的工序，该焊料层与所述第一配线上的所述第二配线的一部分及自该第二配线的一部分延伸的所述开口部侧壁的所述第二配线连接，并延伸至包含所述第二配线的所述背面区域上；使所述焊料层回流的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
