[发明专利]电平位移电路无效
申请号: | 200910209222.3 | 申请日: | 2009-11-02 |
公开(公告)号: | CN101729059A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 本多悠里 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185;G05F3/26 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 孙志湧;李亚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种电平位移电路,具有:电阻(R21),一端连接到接地;第1FET,漏极和栅极连接到电阻(R21)的另一端,源极连接到第1电源;第2FET,源极连接到第1电源,栅极连接到第1FET的栅极;电阻(R22),一端连接到第2FET的漏极;第3FET,源极连接到电阻(R22)的另一端,栅极经由电阻(R23)连接到输入端子;恒定电流源,连接在第3FET的漏极和第2电源之间;第4FET,将第2FET的漏极电位输入到栅极,漏极连接到输出端子,源极连接到第1电源;耗尽模式FET(D21),漏极连接到第2电源,栅极和源极连接到输出端子。恒定电流源具有耗尽模式FET(D20)和电阻(R20)。 | ||
搜索关键词: | 电平 位移 电路 | ||
【主权项】:
一种电平位移电路,其特征在于,具有:第1电阻,一端连接到接地;第1晶体管,漏极和栅极连接到上述第1电阻的另一端,源极连接到第1电源;第2晶体管,源极连接到上述第1电源,栅极连接到上述第1晶体管的漏极和栅极;第2电阻,一端连接到上述第2晶体管的漏极;第3晶体管,源极连接到上述第2电阻的另一端,栅极连接到输入端子;第1电流源,连接在第2电源和上述第3晶体管的漏极之间;以及输出段电路,包括连接在输出端子和上述第1电源之间的第4晶体管,该第4晶体管的栅极连接到上述第2晶体管的漏极。
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