[发明专利]光掩模制造方法、描绘装置、光掩模检查方法及检查装置有效
申请号: | 200910209367.3 | 申请日: | 2009-11-04 |
公开(公告)号: | CN101738851A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 池边寿美;田中敏幸 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 光掩模制造方法、描绘装置、光掩模检查方法及检查装置。本发明提供在LSI和TFT-LCD等制造中能够高精度地制造TFT等电子器件的图案的光掩模的制造方法,为此利用高度测定单元(12)来测定配置在描绘机的工作台(10)上的光掩模坯体(13)的表面形状变形,通过描绘数据生成单元(15),针对由该表面形状的变形因素中在曝光装置中使用光掩模时消失的变形因素所引起的描绘偏差,校正设计描绘数据来得到预定描绘数据。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 制造 方法 描绘 装置 检查 | ||
【主权项】:
一种光掩模制造方法,该光掩模制造方法包括描绘工序,在该描绘工序中,在具有透明基板、所述透明基板上的薄膜以及所述薄膜上的光致抗蚀剂膜的光掩模坯体上,使用描绘机根据预定描绘数据来照射能量束,由此描绘预定转印图案,其特征在于,计算所述描绘工序中所述光掩模坯体的膜面侧形状与对所述光掩模进行曝光时所述光掩模坯体的膜面侧形状之间的形状变化量,根据所述形状变化量来校正用于所述预定转印图案的设计描绘数据,由此得到所述预定描绘数据。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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