[发明专利]半穿透半反射式薄膜晶体管面板及其制造方法

摘要

本发明提供一种半穿透半反射式薄膜晶体管面板及其制造方法，具有一相变化材料层图案设于薄膜电上晶体的一保护层图案以及一像素电极图案上，且该相变化材料层表面为一凹凸不规则的表面，作为反射环境光的反射面。本发明还提供一种制造该半穿透半反射式液晶显示器的薄膜晶体管面板的方法。其特征在于形成一相变化材料层图案覆盖于薄膜电上晶体的该保护层图案上以及该像素电极图案上，然后施加能量于该相变化材料层图案表面，使该相变化材料层表面形成凹凸不规则的反射面。

主权项

一种半穿透半反射式薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于，该制造方法包括下列步骤：形成一栅极电极以及一电容电极于一基板上；形成一栅绝缘层覆盖于该栅极电极以及该电容电极上；形成一半导体层图案于该栅绝缘层上，以形成一通道区；形成一源极图案以及一漏极图案于该半导体层图案上，该漏极图案包含一第一区域以及一第二区域，其中该第一区域设置于该信道区上，该第二区域设置于该电容电极上；形成一保护层图案，以覆盖该半导体层图案、该源极图案以及该漏极图案上，并于该第一区域表面曝露一漏极接触孔；形成一像素电极图案于该保护层图案上，且透过该漏极接触孔电性连接于该漏极图案；形成一相变化材料层覆盖于该保护层图案上以及该像素电极图案上；图案化该相变化材料层；以及施加能量于该图案化的相变化材料层表面，以于该相变化材料层上形成复数个不规则凸块。