[发明专利]一种制备高纯球形纳米二氧化硅的方法无效
| 申请号： | 200910218379.2 | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101746767A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 马文会;谢克强;周阳;秦博;杨斌;杨振伟;魏奎先;朱文杰;伍继君;刘大春;刘永成;周晓奎;戴永年 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18;B82B3/00 |
| 代理公司： | 昆明今威专利代理有限公司 53115 | 代理人： | 赵云 |
| 地址： | 650093 云南省昆明*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明属于一种高纯球形纳米二氧化硅的制备方法，特别是用等离子体氢热还原法制备高纯球形纳米二氧化硅的方法，属于材料技术领域。本发明工艺步骤如下：将含SiO2原料在450～1000℃下处理，研磨成粉，酸浸除杂；等离子体反应炉内密闭进行氢热还原，生成Si气体和SiO气体；以10～1000℃/min的速度冷却，SiO歧化反应，离开等离子体区的气体生成Si和SiO2球形纳米颗粒；SiO2和Si的混合物加热到300～800℃氧化处理，最后得到高纯球形纳米SiO2。本方法获得的球形纳米SiO2纯度大于99.99％，粒度分布均匀，平均粒径为50～200纳米。工艺流程短、成本低、经济效益高、节能环保。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 高纯 球形 纳米 二氧化硅 方法 | ||
【主权项】：
一种制备高纯球形纳米二氧化硅的方法，其特征是工艺步骤如下：将含SiO2原料在450～1000℃下处理，研磨成粉，酸浸除杂；等离子体反应炉内密闭进行氢热还原，生成Si气体和SiO气体；以10～1000℃/min的速度冷却，SiO歧化反应，离开等离子体区的气体生成Si和SiO2球形纳米颗粒；SiO2和Si的混合物加热到300～800℃氧化处理，最后得到高纯球形纳米SiO2。
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