[发明专利]薄体双极器件无效
| 申请号： | 200910221561.3 | 申请日： | 2009-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101930997A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 庄建祥;薛福隆 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 薄体双极器件包括：半导体衬底、构造在半导体衬底之上的半导体鳍片、半导体鳍片的具有第一导电类型的第一区域、用作薄体双极器件的基极的第一区域、以及半导体鳍片的具有与第一导电类型相反的第二导电类型的第二和第三区域，第二和第三区域与第一区域并置并被第一区域分离，第二和第三区域分别用作薄体双极器件的发射极和集电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄体双极 器件 | ||
【主权项】：
一种薄体双极器件，包括：半导体衬底；半导体鳍片，被构造在所述半导体衬底之上；所述半导体鳍片的第一区域，具有第一导电类型，所述第一区域用作所述薄体双极器件的基极；以及所述半导体鳍片的第二和第三区域，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述第二和第三区域与所述第一区域并置并且被所述第一区域分离，所述第二和第三区域分别用作所述薄体双极器件的发射极和集电极。
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