[发明专利]可堆叠芯片的制造方法有效
申请号: | 200910222542.2 | 申请日: | 2009-11-13 |
公开(公告)号: | CN101740417A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 李柏毅;王宗鼎 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/768;H01L25/00;H01L23/485;H01L23/522 |
代理公司: | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 梁永 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了改进的半导体芯片制造的系统和方法。优选的实施例提供了一种用于制造可堆叠芯片的方法,该方法包括:设置第一衬底;以及在第一衬底中形成硅通孔。硅通孔从第一衬底的第一表面延伸出,其中,硅通孔连接至第一衬底的第一表面上的导电层,并且导电层具有平坦表面。导电层通过粘合剂接合至载体衬底。该方法后续步骤为:将第二衬底接合至第一衬底的第二表面;去除载体衬底;去除粘结剂层;以及图样化导电层,以形成接触焊盘。 | ||
搜索关键词: | 堆叠 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制造可堆叠芯片的方法,所述方法包括:设置第一衬底;在所述第一衬底中形成从所述第一衬底的第一表面延伸出的硅通孔,其中,所述硅通孔连接至所述第一衬底的所述第一表面上的导电层,并且所述导电层具有平坦的表面;利用粘合剂将载体衬底接合至所述导电层;将第二衬底接合至所述第一衬底的第二表面;去除所述载体衬底;去除所述粘合剂;以及图样化所述导电层,以形成接触焊盘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910222542.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种变压器线圈环流损耗模拟实验装置
- 下一篇:串联故障电弧检测电路
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造