[发明专利]可堆叠芯片的制造方法有效

专利信息
申请号: 200910222542.2 申请日: 2009-11-13
公开(公告)号: CN101740417A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 李柏毅;王宗鼎 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/60;H01L21/768;H01L25/00;H01L23/485;H01L23/522
代理公司: 北京市德恒律师事务所 11306 代理人: 梁永
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 提供了改进的半导体芯片制造的系统和方法。优选的实施例提供了一种用于制造可堆叠芯片的方法,该方法包括:设置第一衬底;以及在第一衬底中形成硅通孔。硅通孔从第一衬底的第一表面延伸出,其中,硅通孔连接至第一衬底的第一表面上的导电层,并且导电层具有平坦表面。导电层通过粘合剂接合至载体衬底。该方法后续步骤为:将第二衬底接合至第一衬底的第二表面;去除载体衬底;去除粘结剂层;以及图样化导电层,以形成接触焊盘。
搜索关键词: 堆叠 芯片 制造 方法
【主权项】:
一种用于制造可堆叠芯片的方法,所述方法包括:设置第一衬底;在所述第一衬底中形成从所述第一衬底的第一表面延伸出的硅通孔,其中,所述硅通孔连接至所述第一衬底的所述第一表面上的导电层,并且所述导电层具有平坦的表面;利用粘合剂将载体衬底接合至所述导电层;将第二衬底接合至所述第一衬底的第二表面;去除所述载体衬底;去除所述粘合剂;以及图样化所述导电层,以形成接触焊盘。
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