[发明专利]集成电感无效
申请号: | 200910222555.X | 申请日: | 2009-11-13 |
公开(公告)号: | CN101894838A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 柯庆忠;李东兴;詹归娣;郑道;杨明宗 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/528 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种集成电感,该集成电感包含一线圈,该线圈包括位于一钝化层之上的一铝层,其中,该铝层不延伸到该钝化层内部,该铝层的厚度不小于2.0微米。本发明提供的集成电感具有较高品质因数Q。 | ||
搜索关键词: | 集成 电感 | ||
【主权项】:
一种集成电感,所述的集成电感包含线圈,所述线圈包括位于钝化层之上的铝层,其特征在于,所述铝层不延伸到所述钝化层内部,所述铝层的厚度不小于2.0微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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