[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200910222830.8 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101740573A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 川原润;林喜宏;久米一平 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L29/92;H01L23/528 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底；多层布线结构，该多层布线结构被形成在半导体衬底的上方并且其中层压其中的每一个都通过布线和绝缘层形成的多个布线层；以及电容元件，该电容元件具有被掩埋在多层布线结构中的上电极、下电极、以及电容器绝缘层，其中布线层中的至少两个或者更多被提供在被连接至下电极的下电容器布线与被连接至上电极的上电容器布线之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；多层布线结构，该多层布线结构形成在所述半导体衬底的上方，并且在该多层布线结构中形成多个布线层，每个布线层由布线和绝缘层形成；以及电容元件，所述电容元件具有被掩埋在所述多层布线结构中的上电极、下电极以及电容器绝缘层，其中，所述布线层中的至少两个或者更多的布线层被提供在与所述下电极相连接的下电容器布线和与所述上电极相连接的上电容器布线之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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