[发明专利]横向双扩展MOS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910222933.4 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101740625A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李镕俊 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人： | 宋子良;阮伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明披露了一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件及其制造方法。横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件包括：高压阱(HVWELL)，形成在衬底上；RESURF区，形成在HVWELL中；本体区，邻近RESURF区形成；隔离层，包括形成在RESURF区上的预定区域，该隔离层与衬底的顶部表面部分重叠；低压阱(LVWELL)，形成在隔离层的另一区域的下方的衬底的预定区域上；栅电极，从本体区的预定的顶部表面区延伸到隔离层的预定顶部表面；漏极区，形成在隔离层的另一区域下方的LVWELL上；以及源极区，形成在栅电极下方的本体区中。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩展 mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件，包括：高压阱(HVWELL)，形成在衬底上；RESURF区，形成在所述HVWELL中；本体区，邻近所述RESURF区形成；隔离层，包括形成在所述RESURF区上的预定区域，所述隔离层与所述衬底的顶部表面部分重叠；低压阱(LVWELL)，形成在所述隔离层的另一区域的下方的所述衬底的预定区域上；栅电极，从所述本体区的预定的顶部表面区域延伸到所述隔离层的预定的顶部表面；漏极区，形成在所述隔离层的所述另一区域下方的所述LVWELL上；以及源极区，形成在所述栅电极下方的所述本体区中。
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