[发明专利]电熔丝、电阻与晶体管的制造方法有效
申请号: | 200910225877.X | 申请日: | 2009-11-30 |
公开(公告)号: | CN102082122A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
发明(设计)人: | 林永昌;吴贵盛;翁彰键;曾靖翔 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种电熔丝、电阻与晶体管的制造方法,首先,提供基底,然后,形成晶体管栅极、电阻和电熔丝于该基底上,且晶体管栅极、电阻、电熔丝均具有第一介电层、多晶硅层、硬掩模,之后,形成源极/漏极掺杂区于晶体管栅极旁的基底中,接着,去除电阻以及电熔丝中的硬掩模,然后,进行金属硅化工艺,形成金属硅化层于源极/漏极掺杂区、电阻上以及电熔丝上,再形成平坦化的第二介电层覆盖基底,并曝露出晶体管栅极的多晶硅层、电阻和电熔丝,之后,移除晶体管栅极中的多晶硅层,以形成凹槽,最后形成金属层填满凹槽。 | ||
搜索关键词: | 电熔丝 电阻 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种电熔丝、电阻与晶体管的制造方法,包含:提供基底;形成晶体管栅极、电阻和电熔丝于该基底上,且该晶体管栅极、该电阻、该电熔丝均具有第一介电层、多晶硅层、硬掩模;形成源极/漏极掺杂区于该晶体管栅极旁的基底中;去除该电阻以及该电熔丝中的该硬掩模;进行金属硅化工艺,分别形成金属硅化层于该源极/漏极掺杂区、该电阻上以及该电熔丝上;形成平坦化的第二介电层覆盖该基底,并曝露出该晶体管栅极的该多晶硅层、该电阻和该电熔丝;移除该晶体管栅极中的该多晶硅层,以形成凹槽;以及形成金属层填满该凹槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司,未经联华电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910225877.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种汽车副梁
- 下一篇:一种承压运行的非承压立式水箱
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造