[发明专利]电熔丝、电阻与晶体管的制造方法有效

专利信息
申请号: 200910225877.X 申请日: 2009-11-30
公开(公告)号: CN102082122A 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 林永昌;吴贵盛;翁彰键;曾靖翔 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种电熔丝、电阻与晶体管的制造方法,首先,提供基底,然后,形成晶体管栅极、电阻和电熔丝于该基底上,且晶体管栅极、电阻、电熔丝均具有第一介电层、多晶硅层、硬掩模,之后,形成源极/漏极掺杂区于晶体管栅极旁的基底中,接着,去除电阻以及电熔丝中的硬掩模,然后,进行金属硅化工艺,形成金属硅化层于源极/漏极掺杂区、电阻上以及电熔丝上,再形成平坦化的第二介电层覆盖基底,并曝露出晶体管栅极的多晶硅层、电阻和电熔丝,之后,移除晶体管栅极中的多晶硅层,以形成凹槽,最后形成金属层填满凹槽。
搜索关键词: 电熔丝 电阻 晶体管 制造 方法
【主权项】:
一种电熔丝、电阻与晶体管的制造方法,包含:提供基底;形成晶体管栅极、电阻和电熔丝于该基底上,且该晶体管栅极、该电阻、该电熔丝均具有第一介电层、多晶硅层、硬掩模;形成源极/漏极掺杂区于该晶体管栅极旁的基底中;去除该电阻以及该电熔丝中的该硬掩模;进行金属硅化工艺,分别形成金属硅化层于该源极/漏极掺杂区、该电阻上以及该电熔丝上;形成平坦化的第二介电层覆盖该基底,并曝露出该晶体管栅极的该多晶硅层、该电阻和该电熔丝;移除该晶体管栅极中的该多晶硅层,以形成凹槽;以及形成金属层填满该凹槽。
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