[发明专利]超高频RFID读写器中的高线性度低噪声下混频器无效
| 申请号： | 200910227019.9 | 申请日： | 2009-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101783651A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 王春华;汪飞;袁超;郭胜强;许静;张秋晶;何海珍;郭小蓉;易波 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H03D7/14 | 分类号： | H03D7/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410082 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种面向超高频RFID读写器的下混频器，该混频器涉及一种基于Gilbert结构的具有高线性度混频器。通过在输入端采用二阶交调电流注入结构，以提高线性度；在输出端采用动态电流注入结构，从而降低噪声。二阶交调电流注入结构是通过对MOS管的非线性特性进行分析，然后得出使三阶交调电流值为0时的注入电流值；在输出端，采用动态电流注入结构，通过对各MOS管导通特性的分析，实现电流的动态注入特性，从而大大降低混频器的闪烁噪声。本发明提出的混频器的工作电压为1.2V，功耗低，符合低电压低功耗的要求，简化电路结构、降低功耗以及扩展中心工作频率点等方面有很大的指导意义。 | ||
| 搜索关键词： | 超高频 rfid 读写 中的 线性 噪声 混频器 | ||
【主权项】：
一种混频器，包括：第一级NMOS管M3与第二级NMOS管M4、M5的源级相连，为其提供偏置电流，第二级NMOS管M4、M5为跨导级，第三级NMOS管M6、M7，M8、M9为开关级，R1和R2为输出端负载。
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