[发明专利]应用光刻胶剥离工艺保护光刻对准标记的方法有效
| 申请号： | 200910235919.8 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102054667A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/544;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用光刻胶剥离工艺保护光刻对准标记的方法，该方法包括以下步骤：在待覆盖厚金属层的介质层表面涂光刻胶，使所述介质层上的光刻对准标记所在区域被光刻胶完全覆盖；进行曝光、显影处理，以保留所述光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶，而将其他部分覆盖的光刻胶去除；积淀金属层；剥离所述光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶及该光刻胶上覆盖的金属层。采用本发明，可以在覆盖金属层过程中，保持前层光刻对准标记的形貌，从而提高光刻过程中的对准精度。 | ||
| 搜索关键词： | 应用 光刻 剥离 工艺 保护 对准 标记 方法 | ||
【主权项】：
一种应用光刻胶剥离工艺保护光刻对准标记的方法，其特征在于，包括以下步骤：在待覆盖金属层的介质层表面涂光刻胶，使所述介质层上的光刻对准标记所在区域被光刻胶覆盖，并且光刻胶层的厚度大于待积淀的金属层的厚度；进行曝光、显影处理，以保留所述光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶，而将其他部分覆盖的光刻胶去除；积淀金属层；剥离所述光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶及该光刻胶上覆盖的金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
