[发明专利]锥体形微池阵列立体结构电极制备方法

摘要

本发明公开了一种锥体形微池阵列立体结构电极制备方法，涉及微电极加工技术，是基于体硅加工工艺，采用硅的各向异性湿法腐蚀技术在微小硅片表面向下腐蚀出微池阵列结构，并配合响应的绝缘处理及溅射铂/金等工艺，完成立体结构微电极的制备。所制备微池包括5-150um多种尺寸，阵列结构整齐、均匀分布在微电极表面，并有利于进一步进行纳米材料修饰。本发明方法采用标准MEMS加工技术，工艺简单、规范、实用性强，能够有效扩大微电极表面面积，适合在电化学传感器的微电极表面区域进行立体结构的设计和制备，并有效提高电极检测性能。

主权项

一种锥体形微池阵列立体结构电极制备方法，是基于硅的湿法腐蚀技术；其特征在于，利用各向异性湿法腐蚀，在工作电极表面制备不同尺寸的微池阵列立体结构微电极，并在电极表面立体结构上进一步实现纳米材料的修饰；其包括：a)设计并制备尺寸在5‑150um之间微池阵列的光刻模版，用氮化硅制备掩膜用于湿法腐蚀使用；b)配制KOH溶液，通过水浴加热，利用硅的各项异性湿法腐蚀方法在硅片表面腐蚀出与掩膜相应的锥体形微池阵列结构；c)利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在硅片结构表面做氮化硅绝缘层处理，溅射铂/金制备电极表面；d)配制氯铂酸、醋酸铅混合溶液，利用电化学沉积方法在立体结构电极表面电镀铂黑颗粒，得到纳米铂簇规律性地分散于微池边缘的纳米材料电极表面修饰效果。