[发明专利]一种总剂量辐射加固工形栅版图结构有效
| 申请号： | 200910242495.8 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101752420A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王宗民;刘福海;孔瀛;张铁良;赵耀华;管海涛;周亮 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 范晓毅 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种总剂量辐射加固工形栅版图结构，包括有源区、有源区之外的场氧区，以及和有源区相交叠的工形栅，在有源区上和工形栅没有交叠的部分划分为矩形的源区、漏区，本发明将栅氧化层设置在工形栅与有源区相交叠的全部区域的工形栅层下，不仅包括源区与漏区之间的a区域，而且包括源区与漏区上部和下部的b区域，b区域的形成推离了源区、漏区和场氧区之间的距离，避离了场区，切断了场氧区边缘辐射寄生沟道与源区、漏区之间的通路，更好解决由电离辐射总剂量效应引起的寄生漏电问题，提高电路的抗电离辐射能力，而且减小了芯片版图面积，可应用于大规模集成电路系统中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 剂量 辐射 加固 工形栅 版图 结构 | ||
【主权项】：
一种总剂量辐射加固工形栅版图结构，包括有源区(60)、工形栅(65)、场氧区(62)、源区(64)，漏区(66)和接触孔(69)，其特征在于：工形栅(65)为“工”字形，分为a区、b区和c区，有源区(60)为矩形，有源区(60)上设置工形栅(65)，并且有源区(60)与工形栅(65)相交叠的全部区域的两层之间均设置栅氧化层，场氧区(62)设置在有源区(60)之外，并与工形栅(65)的c区相交叠，且位于c区之下，有源区(60)和工形栅(65)没有相交叠的区域为源区(64)和漏区(66)，所述有源区(60)与工形栅(65)相交叠的全部区域分为a区与b区，其中a区位于源区(64)和漏区(66)之间，b区分为两个区域，分别位于源区(64)、漏区(66)的上部和下部，接触孔(69)为两个，设置在工形栅(65)的两端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所，未经北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910242495.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
