[发明专利]一种PETEOS沉积设备清洗方法有效
| 申请号： | 200910243500.7 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102110583A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 崔晓娟;周华强;徐锋;彭亮;熊炳辉 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PETEOS沉积设备清洗方法，包括：向PETEOS沉积设备的各反应腔中通入C2F6和O2作为清洗气体，施加射频交流电，对各反应腔依次进行近距离清洗和远距离清洗，通入的C2F6气体流量为380～420scc；O2的气体流量为475～525scc；清洗完成后抽空各反应腔内的气体。本发明提供的PETEOS沉积设备清洗方法在保证PETEOS设备的清洗质量的前提下，减少了工艺气体耗费量，降低了成本，还使得反应腔内备件耗损速度减缓，提高了设备正常的生产时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 peteos 沉积 设备 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种PETEOS沉积设备清洗方法，其特征在于，包括：向PETEOS沉积设备的各反应腔中通入C2F6和O2作为清洗气体，施加射频交流电，对各反应腔依次进行近距离清洗操作和远距离清洗操作，通入的C2F6气体流量为380～420scc；O2的气体流量为475～525scc；清洗完成后抽空各反应腔内的气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
