[发明专利]砷化镓或锗单晶生长方法有效
| 申请号： | 200910243510.0 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101724886A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 卜俊鹏;于会永 | 申请（专利权）人： | 中科晶电信息材料（北京）有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/42;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京双收知识产权代理有限公司 11241 | 代理人： | 左明坤 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种砷化镓或锗单晶生长方法，属于晶体生长领域，其先将PBN用1200号砂纸修平至无明显台阶，然后将其放入由去离子水、氨水及双氧水混合的体积比例为2∶1∶1的洗液中浸泡30分钟，之后再将PBN用去离子水洗净；将PBN在180-220℃的真空状态下用烘烤炉烘烤约30分钟，然后再在900-1050℃的真空状态下用烘烤炉烘烤30分钟以上；向PBN中充入latm的高纯氧气，使PBN在900-1050℃的烘烤炉烘烤30分钟以上；待PBN冷却到50℃直接装入干净的多晶料，在2分钟内完成装料，该装料环境温度控制在20-25℃，湿度控制在40％以下；装料完成后，按传统VGF工艺完成单晶生长。本发明砷化镓或锗单晶生长方法不仅使生长的单晶中杂质B含量降低且保证衬底质量不受影响。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓 锗单晶 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种砷化镓或锗单晶生长方法，其特征在于包括如下步骤：(1)将PBN用1200号砂纸修平至无明显台阶，然后将其放入由去离子水、氨水及双氧水混合的体积比例为2∶1∶1的洗液中浸泡30分钟，之后再将PBN用去离子水洗净；(2)将PBN在180-220℃的真空状态下用烘烤炉烘烤25-33分钟，然后再在900-1050℃的真空状态下用烘烤炉烘烤30分钟以上；(3)向PBN中充入1atm的高纯氧气，使PBN在900-1050℃的烘烤炉烘烤30分钟以上；(4)待PBN冷却到50℃直接装入干净的多晶料，在2分钟内完成装料，装料环境温度控制在20-25℃，湿度控制在40％以下；(5)装料完成后，按传统VGF工艺完成单晶生长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中科晶电信息材料（北京）有限公司，未经中科晶电信息材料（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910243510.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：毛球修剪器
- 下一篇：废旧轮胎土路基的施工方法
