[发明专利]一种降低金属氧化物半导体管栅极寄生电阻的方法有效
| 申请号： | 200910244019.X | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN102110610A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 方绍明;王新强;张立荣 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种降低金属氧化物半导体MOS管栅极寄生电阻的方法，以提高MOS管的开关速度。该方法包括：在金属氧化物半导体MOS管的源区层形成光刻版，所述光刻版设置有栅极引线孔区与源区对应的光刻窗口；对所述光刻版进行光刻处理并得到栅极引线孔区与源区对应的光刻区域；对所述栅极引线孔区与源区的光刻区域进行杂质注入处理；对所述MOS管进行介质层淀积处理，形成介质层；对所述介质层进行引线孔光刻处理，形成栅极引线孔；在所述形成有所述栅极引线孔的MOS管中生成栅极金属层。。采用本发明技术方案，降低了MOS管的栅极寄生电阻，提高了MOS管的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 金属 氧化物 半导体 栅极 寄生 电阻 方法 | ||
【主权项】：
一种降低金属氧化物半导体管栅极寄生电阻的方法，其特征在于，包括：在金属氧化物半导体MOS管的源区层形成光刻版，所述光刻版设置有栅极引线孔区与源区对应的光刻窗口；对所述光刻版进行光刻处理并得到栅极引线孔区与源区对应的光刻区域；对所述栅极引线孔区与源区的光刻区域进行杂质注入处理；对所述MOS管进行介质层淀积处理，形成介质层；对所述介质层进行引线孔光刻处理，形成栅极引线孔；在所述形成有所述栅极引线孔的MOS管中生成栅极金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910244019.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
