[发明专利]像素驱动电路、放电方法、数据写入方法及驱动显示方法有效
| 申请号： | 200910244067.9 | 申请日： | 2009-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102110407A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 龙春平;孙力;肖田 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/32 | 分类号： | G09G3/32;G09G3/20 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供像素驱动电路、放电方法、数据写入方法及驱动显示方法，其中一种像素驱动电路包括扫描线、数据线、用于连接电源极的电源线、用于连接接地极的接地线以及有机发光二极管器件，并且还包括：电容充电场效应晶体管、数据信号场效应晶体管、发光驱动场效应晶体管和数据存储电容。本发明使用三个薄膜晶体管和一个电容即3T1C结构，有利于减少电源负载、降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 驱动 电路 放电 方法 数据 写入 显示 | ||
【主权项】：
一种像素驱动电路，包括扫描线、数据线、用于连接电源极的电源线、用于连接接地极的接地线以及有机发光二极管器件，其特征在于，还包括：电容充电场效应晶体管、数据信号场效应晶体管、发光驱动场效应晶体管和数据存储电容；所述电容充电场效应晶体管的栅极和数据信号场效应晶体管的栅极相连，且均连接所述扫描线；所述电容充电场效应晶体管的漏极和数据信号场效应晶体管的漏极分别连接所述数据线；所述电容充电场效应晶体管的源极连接所述数据存储电容的高电位端及所述发光驱动场效应晶体管的栅极；所述数据信号场效应晶体管的源极连接所述电源线；所述发光驱动场效应晶体管的漏极连接所述电源线，源极连接所述接地线及所述数据存储电容的低电位端；所述有机发光二极管器件位于所述接地线上，该有机发光二极管器件的阳极连接所述数据存储电容与所述接地线的连接点，阴极连接所述接地极。
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