[发明专利]用于磁制冷的稀土-铜-硅材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200910244208.7 | 申请日： | 2009-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101792659A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 陈静;沈保根;董巧燕;胡凤霞;孙继荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C09K5/14 | 分类号： | C09K5/14;H01F1/058;C22C1/02 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于磁制冷的稀土-铜-硅材料，该稀土-铜-硅材料为以下通式的化合物：RCuSi，其中R为Ho、Er、Dy、Tb或Gd。本发明的稀土-铜-硅材料，在各自相变温度附近均具有大的磁熵变，其中HoCuSi的磁熵变高达33.1J/kg·K，远大于同温区磁制冷材料的磁熵变，并且具有较大磁制冷能力及良好的热、磁可逆性质，是非常理想的低温区磁制冷材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制冷 稀土 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于磁制冷的稀土-铜-硅材料，该稀土-铜-硅材料为以下通式的化合物：RCuSi，其中R为Ho、Er、Dy、Tb或Gd。
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