[发明专利]铝互连线结构和形成铝互连线结构的方法有效
| 申请号： | 200910246101.6 | 申请日： | 2009-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102082115A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 薛浩;任小兵;蒋昆坤;王吉伟;任华 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种铝互连线结构和形成铝互连线结构的方法，该方法包括：提供衬底；在衬底上依次形成下层阻挡层、铝层和上层阻挡层；过刻蚀上层阻挡层，暴露出部分铝层；在所述暴露出的铝层侧壁形成钝化层；继续刻蚀所述铝层并刻蚀所述下层阻挡层，形成铝互连线结构。形成的铝互连线的线宽与下层阻挡层和上层阻挡层的线宽基本相同，在进行氧化硅介质层的填充时，在氧化硅介质层和铝互连线侧壁之间不形成空洞和缝隙，从而不会影响产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成铝互连线结构的方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成下层阻挡层、铝层和上层阻挡层；过刻蚀所述上层阻挡层，暴露出部分铝层；在所述暴露出的铝层侧壁形成钝化层；继续刻蚀所述铝层并刻蚀下层阻挡层，形成铝互连线结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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