[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910246375.5 | 申请日： | 2009-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101901751A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | G·M·格里瓦纳 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体元件及其制造方法。涉及一种包括接触着落垫的半导体元件以及一种制造该半导体元件的方法。具有侧壁的槽在半导体材料中形成，而电介质材料在槽的侧壁上形成。导电材料在侧壁上形成并填充槽。多层电介质结构在槽内的导电材料之上形成，其中多层电介质材料包括一类夹在不同类电介质材料之间的电介质材料，以使得中间层电介质材料的刻蚀率不同于外层电介质材料的刻蚀率。去除中间层电介质材料的部分，并以导电材料替换，该导电材料结合槽中的导电材料的部分，形成接触着落垫。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体元件的方法，包括以下步骤：提供具有主表面的半导体材料；在所述半导体材料中形成至少一个槽，所述至少一个槽具有底和侧壁；以及在所述至少一个槽之上以及横向地邻近述至少一个槽形成至少一个自对准着落垫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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