[发明专利]移相掩膜板的制造方法及其结构有效
| 申请号： | 200910247877.X | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101770161A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/14 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种移相掩膜板的制造方法及其结构，所述方法包括以下步骤：在衬底上依次生长移相消光层、刻蚀保护层和金属层；在所述金属层上涂布第一光刻胶，刻蚀所述金属层；在所述刻蚀保护层上涂布第二光刻胶，刻蚀所述刻蚀保护层和所述移相消光层；去除所述第一光刻胶和所述第二光刻胶，并清洗所述移相消光层，本发明所提供的工艺能够有效的减少移相掩膜板制造方法中对移相消光层产生的损伤，提高移相掩膜板的可靠性和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 移相掩膜板 制造 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
一种移相掩膜板的制造方法，其特征在于包括以下步骤：在衬底上依次生长移相消光层、刻蚀保护层和金属层；在所述金属层上涂布第一光刻胶，刻蚀所述金属层；在所述刻蚀保护层上涂布第二光刻胶，刻蚀所述刻蚀保护层和所述移相消光层；去除所述第一光刻胶和所述第二光刻胶。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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