[发明专利]常压等离子体自由基束流清洗硅片新方法无效
| 申请号： | 200910250336.2 | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN102087487A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 王守国;赵玲利;韩传余;杨景华;张朝前 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H05H1/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种常压等离子体自由基束流清洗硅片新方法，其特征在于：该新方法是采用一个常压介质阻挡等离子体发生器，工作气体可以采用氧气、氧/氩混合气体或空气来产生高密度的自由基，并在一定气体压力下把放电等离子体区产生的高密度自由基由喷口向外喷出，在硅片衬底被加热到一定温度时，喷射到硅片上的高密度自由基束流与硅片上的光刻胶反应生成CO2和H2O等反应副产物，该反应副产物经由排气罩的管道排出；该高密度的自由基束流还也可以用来去除其它材料表面的有机物和改善表面的亲水性能。 | ||
| 搜索关键词： | 常压 等离子体 自由基 清洗 硅片 新方法 | ||
【主权项】：
一种常压等离子体自由基束流清洗硅片新方法，其特征在于：该新方法是采用一个常压介质阻挡等离子体发生器，工作气体可以采用氧气、氧/氩混合气体或空气来产生高密度的自由基，并在一定气体压力下把放电等离子体区产生的高密度自由基由喷口向外喷出，在硅片衬底被加热到一定温度时，喷射到硅片上的高密度自由基束流与硅片上的光刻胶反应生成CO2和H2O等反应副产物，该反应副产物经由排气罩的管道排出；该高密度的自由基束流还也可以用来去除其它材料表面的有机物和改善表面的亲水性能。
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