[发明专利]真空容器及制造方法、真空处理设备和电子器件制造方法有效

专利信息
申请号: 200910253751.3 申请日: 2009-12-17
公开(公告)号: CN101752221A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 佐佐木雅夫 申请(专利权)人: 佳能安内华股份有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;B23P15/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 张涛
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种真空容器,其包括一对弯曲构件,这对弯曲构件通过将金属板弯曲成预定形状而形成并相互结合以在弯曲构件内形成封闭空间。真空容器还包括密封构件和立方格子结构,该密封构件密封弯曲构件之间的结合部分中的间隙,该立方格子结构抵靠两个弯曲构件的内表面并容纳在封闭空间中。真空容器还包括磁体单元。该磁体单元将弯曲构件固定到结构上并通过沿着弯曲构件之间的结合部分压迫作为密封构件的O型环而密封结合部分中的间隙。
搜索关键词: 真空 容器 制造 方法 处理 设备 电子器件
【主权项】:
一种真空容器,包括多个板构件和密封构件,每个板构件都部分地或整个地由金属制成,并且所述板构件相互结合以在所述板构件内形成封闭空间,所述密封构件密封所述板构件之间的结合部分,所述真空容器包括:结构,所述结构容纳在所述封闭空间中,抵靠所述密封构件和所述板构件的内表面,并且整个地或部分地由铁磁体形成;以及永磁体,所述永磁体布置在所述板构件的外表面上并且通过作用在所述结构的铁磁体上的磁吸引力使所述板构件压靠所述密封构件。
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