[发明专利]真空容器及制造方法、真空处理设备和电子器件制造方法有效
申请号: | 200910253751.3 | 申请日: | 2009-12-17 |
公开(公告)号: | CN101752221A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 佐佐木雅夫 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B23P15/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种真空容器,其包括一对弯曲构件,这对弯曲构件通过将金属板弯曲成预定形状而形成并相互结合以在弯曲构件内形成封闭空间。真空容器还包括密封构件和立方格子结构,该密封构件密封弯曲构件之间的结合部分中的间隙,该立方格子结构抵靠两个弯曲构件的内表面并容纳在封闭空间中。真空容器还包括磁体单元。该磁体单元将弯曲构件固定到结构上并通过沿着弯曲构件之间的结合部分压迫作为密封构件的O型环而密封结合部分中的间隙。 | ||
搜索关键词: | 真空 容器 制造 方法 处理 设备 电子器件 | ||
【主权项】:
一种真空容器,包括多个板构件和密封构件,每个板构件都部分地或整个地由金属制成,并且所述板构件相互结合以在所述板构件内形成封闭空间,所述密封构件密封所述板构件之间的结合部分,所述真空容器包括:结构,所述结构容纳在所述封闭空间中,抵靠所述密封构件和所述板构件的内表面,并且整个地或部分地由铁磁体形成;以及永磁体,所述永磁体布置在所述板构件的外表面上并且通过作用在所述结构的铁磁体上的磁吸引力使所述板构件压靠所述密封构件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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