[发明专利]高电压金属介电质半导体晶体管有效
| 申请号： | 200910260315.9 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101840931A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 李名镇;曹卫立 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 葛强;张一军 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及高电压金属介电质半导体晶体管。一种高电压金属介电质半导体晶体管包括：半导体衬底；沟槽隔离区，位于半导体衬底之内，用以环绕有源区；栅极，位于有源区之上；具有第一导电类型的漏极掺杂区，位于有源区之内；具有第一导电类型的源极掺杂区，位于具有第二导电类型的第一阱之内，其中第一阱位于有源区之内；以及具有第一导电类型的源极轻掺杂区，位于栅极与源极掺杂区之间；其中，在栅极与漏极掺杂区之间无隔离区形成。所述高电压金属介电质半导体晶体管，可改善介电质击穿时间特性及降低热载流子注入效应；省略STI区可增加驱动电流并节约芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 金属 介电质 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
一种高电压金属介电质半导体晶体管，包括：半导体衬底；沟槽隔离区，位于该半导体衬底之内，用以环绕有源区；栅极，位于该有源区之上；具有第一导电类型的漏极掺杂区，位于该有源区之内；具有该第一导电类型的源极掺杂区，位于具有第二导电类型的第一阱之内，其中该第一阱位于该有源区之内；以及具有该第一导电类型的源极轻掺杂区，位于该栅极与该源极掺杂区之间；其中，在该栅极与该漏极掺杂区之间无隔离区形成。
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