[发明专利]微影图案化方法有效
申请号: | 200910261397.9 | 申请日: | 2009-12-24 |
公开(公告)号: | CN102034752A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 黄义雄;林进祥;李宏仁;刘恒信 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭示一种集成电路元件的制造方法。该方法是一微影图案化方法。该微影图案化方法可包含:提供基材;形成保护层于基材上;形成导电层于保护层上;形成光阻层于导电层上;以及曝光并显影光阻层。本发明的图案化微影方法形成保护层与导电层于光阻层与基材之间。保护层与导电层可在后续处理期间,有效降低对于基材的损伤。保护层可提供基材/元件较佳的隔离效果,保护基材/元件使其不受电子放电的损害,并可防止电子转移。而导电层可提供至地面的电子转移路径及/或提供电荷散逸。 | ||
搜索关键词: | 图案 方法 | ||
【主权项】:
一种微影图案化方法,其特征在于包含:提供一基材;形成一第一材料层于该基材上,其中该第一材料层包含一非共轭式高分子聚合物;形成一第二材料层于该第一材料层上,其中该第二材料层包含一共轭式高分子聚合物;形成一第三材料层于该第二材料层上;以及;利用一超紫外光微影制造工艺或一电子束微影制造工艺来图案化该第三材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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