[发明专利]半导体存储单元及其制造方法和操作方法无效
| 申请号： | 200910265288.4 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101770990A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 郑真孝 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种操作方法可包括通过向共用源极和/或N阱区提供预设编程电压、将控制栅极接地和/或浮置、和/或将字线和/或位线接地，对半导体存储单元进行编程。一种操作方法可包括通过将字线浮置和/或接地、向控制栅极提供预设擦除电压、和/或将N阱、位线和/或共用源极接地，对半导体存储单元进行擦除。一种操作方法可包括通过将控制栅极接地和/或浮置、向N阱和/或共用源极提供预设读取电压、将字线接地、和/或向位线提供预设漏极电压，对半导体存储单元进行读取。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 单元 及其 制造 方法 操作方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括以下步骤：制备包括N阱区的半导体衬底；在所述半导体衬底上方形成浮置栅极多晶硅；在所述浮置栅极多晶硅上方形成触点；以及在所述触点与所述浮置栅极多晶硅之间形成电介质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
