[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910265542.0 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101771056A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 郑泰雄 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L23/522;H01L29/423;H01L21/8247;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：在半导体衬底上形成的第一多晶硅图案；在第一多晶硅图案侧面形成的第二多晶硅图案，使得第二多晶硅图案延伸至高于第一多晶硅图案的高度；在由第一多晶硅图案的上表面和第二多晶硅图案的侧面所限制的区域中形成的第三多晶硅图案；和电连接第二多晶硅图案和第三多晶硅图案的接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：在半导体衬底上形成的第一多晶硅图案；在所述第一多晶硅图案的侧面形成的第二多晶硅图案，其中所述第二多晶硅图案的高度高于所述第一多晶硅图案高的高度；在由所述第一多晶硅图案的上表面和所述第二多晶硅图案的侧面所限制的区域中形成的第三多晶硅图案；和电连接所述第二多晶硅图案和所述第三多晶硅图案的接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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