[发明专利]半导体晶片及半导体装置以及制作半导体晶片及装置的方法有效
| 申请号： | 200910265759.1 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102117866A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 薛萍;袁述 | 申请（专利权）人： | 香港应用科技研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体晶片、半导体装置及制作半导体晶片及装置的方法。本发明的实施例尤其适合与衬底替换应用一起使用，例如在制作垂直LED的情况下。本发明的一个实施例包括一种制作半导体装置的方法，所述方法包含：提供衬底；在所述衬底上形成多个抛光止挡件，所述多个抛光止挡件中的每一者包括陶瓷材料；在所述衬底上生长一个或一个以上缓冲层；及在所述一个或一个以上缓冲层上生长一个或一个以上外延层。另外，可执行将一个或一个以上金属层施加到所述一个或一个以上外延层、将第二衬底附加到所述一个或一个以上金属层及使用机械薄化工艺移除基底衬底的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 装置 以及 制作 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片，其包含：衬底；所述衬底上的多个抛光止挡件，所述抛光止挡件包括陶瓷材料；生长在所述衬底上的一个或一个以上缓冲层；及所述一个或一个以上缓冲层上的一个或一个以上外延层。
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