[发明专利]一种透明导电薄膜制备方法无效
| 申请号： | 200910266184.5 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101864557A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 王殿儒;杨武保;金佑民 | 申请（专利权）人： | 北京振涛国际钛金技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/08;C23C14/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100086 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用多弧离子镀技术制备AZO(掺铝氧化锌)薄膜的方法。利用AZO材料作为靶材、采用消滴的多弧离子镀技术，在玻璃、塑料或其它基底上沉积得到光学、电学、结合力等优异的AZO薄膜。本发明提供了一种结构简单、成本低廉、性能优异的AZO薄膜制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种AZO(掺铝氧化锌)薄膜制备方法，其特征在于采用了AZO材料作为靶材及消滴的多弧离子镀技术、在适当的工艺条件下得到性能优越的AZO薄膜
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