[发明专利]改良西门子法中二级三氯氢硅的处理方法无效
| 申请号： | 200910308969.4 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101691223A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 唐前正;张新;李钊;王璜;卫雄;山玉庸 | 申请（专利权）人： | 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03;C01B33/107;C30B29/06 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 高芸 |
| 地址： | 614000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明多晶硅生产领域，具体涉及改良西门子法中二级三氯氢硅的处理方法。为提供一种能耗少的方法用于处理改良西门子法的副产物二级三氯氢硅。本发明方法采用对二级三氯氢硅进行单独收集的技术方案。单独收集二级三氯氢硅可降低生产能耗，避免二级三氯氢硅与原料氯硅烷之间的交叉污染。再将收集的二级三氯氢硅进行提纯处理以进一步利用该副产品。 | ||
| 搜索关键词： | 改良 西门子 二级 三氯氢硅 处理 方法 | ||
【主权项】：
改良西门子法中二级三氯氢硅的处理方法，其特征在于：单独收集二级三氯氢硅。
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