[发明专利]AMOLED用TFT基板的金属诱导结晶化方法有效
| 申请号： | 200910311273.7 | 申请日： | 2009-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101719481A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 徐正勋;李慧元 | 申请（专利权）人： | 四川虹视显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/20 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 武森涛 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于平板显示器制造技术领域，具体涉及一种AMOLED用TFT基板的间接金属诱导结晶化方法。本发明要解决的技术问题是降低金属诱导方法制造的多晶硅基板的漏电流特性。解决技术问题的技术方案是提供一种AMOLED用TFT基板的间接金属诱导结晶化方法。该方法在完成TFT阵列的基板上，形成多晶硅孤岛，然后镀a-Si层，进而完成结晶化工艺。本发明方法可用于制备AMOLED用TFT基板，能降低漏电流特性。 | ||
| 搜索关键词： | amoled tft 金属 诱导 结晶 方法 | ||
【主权项】：
AMOLED用TFT基板的间接金属诱导结晶化方法，其特征在于包括以下步骤：在完成TFT阵列的基板上，形成多晶硅孤岛，然后镀a-Si层，进而完成结晶化工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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