[发明专利]发光二极管芯片的制备方法无效
| 申请号： | 200910312745.0 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102117769A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 赖志成 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光二极管芯片的制备方法，包括如下步骤：提供一蓝宝石基板；在蓝宝石基板上形成氮化镓基外延膜；在氮化镓基外延膜表面蚀刻出多条排气道，以将氮化镓基外延膜分隔成多个单元器件；在氮化镓基外延膜表面形成一反射层；将反射层粘接于一导电基板；使用激光剥离方法将氮化镓基外延膜与蓝宝石基板分离，并使剥离时产生的气体从多条排气道泄出；以及沿排气道切割导热基板，以获取独立的发光二极管芯片。使用上述方法制得之发光二极管芯片的良率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片的制备方法，包括如下步骤：提供一蓝宝石基板；在该蓝宝石基板上形成氮化镓基外延膜；在该氮化镓基外延膜表面蚀刻出多条排气道，以将该氮化镓基外延膜分隔成多个单元器件；在该氮化镓基外延膜表面形成一反射层；将该反射层粘接于一导电基板；使用激光剥离方法将该氮化镓基外延膜与该蓝宝石基板分离，并使剥离时产生的气体从该多条排气道泄出；以及沿该排气道切割该导热基板，以获取独立的发光二极管芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司，未经鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910312745.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
