[实用新型]垒晶晶片无效
申请号: | 200920105740.6 | 申请日: | 2009-03-05 |
公开(公告)号: | CN201387882Y | 公开(公告)日: | 2010-01-20 |
发明(设计)人: | 胡德良;周云青 | 申请(专利权)人: | 江阴市爱多光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张春和 |
地址: | 214400江苏省江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种垒晶晶片,该垒晶晶片具有一晶片,其具有一主动表面、一保护层、至少一第一焊垫及至少一第二焊垫,其中保护层、第一焊垫及第二焊垫均配置于晶片的主动表面,且保护层暴露出第一焊垫及第二焊垫。此外,此垒晶晶片更具有至少一第一球底金属层及至少一第二球底金属层,其分别配置于第一焊垫及第二焊垫上,其中第二球底金属层与第二焊垫之间的接触面积大于第一球底金属层与第一焊垫之间的接触面积。另外,此垒晶晶片更具有至少一第一凸块及至少一第二凸块,其分别配置于第一球底金属层及第二球底金属层上。 | ||
搜索关键词: | 晶片 | ||
【主权项】:
1、一种垒晶晶片,至少包括:一晶片,具有一主动表面、一保护层,其特征是,该晶片还包括至少一第一焊垫及至少一第二焊垫,该保护层、该第一焊垫及该第二焊垫均配置于该晶片的该主动表面,且该保护层暴露出该第一焊垫及该第二焊垫;至少一第一球底金属层,配置于该第一焊垫上;至少一第二球底金属层,配置于该第二焊垫上,其中该第二球底金属层与该第二焊垫之间的接触面积大于该第一球底金属层与该第一焊垫之间的接触面积;至少一第一凸块,配置于该第一球底金属层上;以及至少一第二凸块,配置于该第二球底金属层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江阴市爱多光伏科技有限公司,未经江阴市爱多光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200920105740.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:户用型秸杆气化装置
- 下一篇:移动通信系统的间歇接收/发送